S-5743NBH9A-M3T4U jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla S-5743NBH9A-M3T4U, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla S-5743NBH9A-M3T4U przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup S-5743NBH9A-M3T4U z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
S-5743NBH9A-M3T4U
- Part Number:
- S-5743NBH9A-M3T4U
- Producent:
- SII Semiconductor Corporation
- Opis:
- IC HALL EFFECT HIGH SPEED LATCH
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 49166 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- S-5743NBH9A-M3T4U.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Dostawa: | 2.7 V ~ 26 V |
| Stan testu: | 25°C |
| Technologia: | Hall Effect |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | SOT-23-3S |
| Seria: | S-5743A |
| Zakres pomiarowy: | 1.5mT Trip, -1.5mT Release |
| Polaryzacja: | Either |
| Opakowania: | Original-Reel® |
| Package / Case: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Typ wyjścia: | Open Drain |
| Inne nazwy: | 1662-3305-6 |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 125°C (TA) |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Funkcjonować: | Bipolar Switch |
| cechy: | - |
| szczegółowy opis: | Digital Switch Bipolar Switch Open Drain Hall Effect SOT-23-3S |
| Obecny - Dostawa (Max): | 4mA |
| Obecny - Wyjście (Max): | 20mA |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do S-5743NBH9A-M3T4U
Latest Aktualności
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia