RX8010SJ:B3 PURE SN jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla RX8010SJ:B3 PURE SN, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla RX8010SJ:B3 PURE SN przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup RX8010SJ:B3 PURE SN z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
RX8010SJ:B3 PURE SN
- Part Number:
- RX8010SJ:B3 PURE SN
- Producent:
- Epson
- Opis:
- IC RTC CLK/CALENDAR I2C 8-SOP
- Status bezołowiowy:
- Zawiera RoHS / RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 33438 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- 1.RX8010SJ:B3 PURE SN.pdf2.RX8010SJ:B3 PURE SN.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Zasilanie, bateria: | - |
| Napięcie - Dostawa: | 1.6 V ~ 5.5 V |
| Rodzaj: | Clock/Calendar |
| Format czasu: | HH:MM:SS (24 hr) |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 8-SOP |
| Seria: | - |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Inne nazwy: | 833386 RX8010SJ:B3 PURE SN-ND RX8010SJ:B3PURESN RX8010SJB3 PURE SN RX8010SJB3PURESN X1B000242000112 |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 85°C |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Rozmiar pamięci: | 16B |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 15 Weeks |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Contains lead / RoHS Compliant |
| Berło: | I²C, 2-Wire Serial |
| cechy: | Alarm, Leap Year, RAM |
| szczegółowy opis: | Real Time Clock (RTC) IC Clock/Calendar 16B I²C, 2-Wire Serial 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Format daty: | YY-MM-DD-dd |
| Aktualne - Timekeeping (maks.): | 0.32µA ~ 0.35µA @ 3V ~ 5V |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do RX8010SJ:B3 PURE SN
Latest Aktualności
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia