RWR80NR110FRBSL jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla RWR80NR110FRBSL, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla RWR80NR110FRBSL przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup RWR80NR110FRBSL z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
RWR80NR110FRBSL
- Part Number:
- RWR80NR110FRBSL
- Producent:
- Dale / Vishay
- Opis:
- RES 0.11 OHM 2W 1% WW AXIAL
- Status bezołowiowy:
- Zawiera ołów / RoHS niezgodny
- Wielkość zbiorów:
- 41180 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- RWR80NR110FRBSL.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie znamionowe - AC: | R (0.01%) |
| Napięcie - Working: | 2W |
| Napięcie - Podział: | Axial |
| Grubość (maks): | ±650ppm/°C |
| Rozmiar / Wymiar: | 0.094" Dia x 0.406" L (2.39mm x 10.31mm) |
| Seria: | Military, MIL-PRF-39007, RWR80N |
| Stan RoHS: | Bulk |
| Polaryzacja: | Axial |
| Inne nazwy: | RWR80NR110FRBSL-MIL |
| temperatura robocza: | -55°C ~ 250°C |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 16 Weeks |
| Numer części producenta: | RWR80NR110FRBSL |
| Wysokość - Siedzą (Max): | - |
| cechy: | Military, Moisture Resistant, Non-Inductive |
| FIFO: | 2 |
| Rozszerzony opis: | 0.11 Ohm ±1% 2W Through Hole Resistor Axial Military, Moisture Resistant, Non-Inductive Wirewound |
| ESR (Equivalent Series Resistance): | ±1% |
| Opis: | RES 0.11 OHM 2W 1% WW AXIAL |
| Okładziny, Typ obudowy: | Wirewound |
| Pasmo: | 0.11 |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do RWR80NR110FRBSL
Latest Aktualności
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia
- Vishay wprowadza miniledowane opakowanie o wysokiej jasności małą niebieską i czystą zieloną diodę LED
- Ansonmei uruchomił indukcyjny czujnik pozycji dla rynku przemysłowego i transportowego
- Ruisa rozpoczyna starą fabrykę w celu zwiększenia urządzenia mocy, trzęsienie ziemi wpływa na łagodne wyjście DRAM
- Microchip umożliwia zdolność produkcyjną TSMC i podnosi podwyżki cen
- Ruisa uruchomiła nowy RA0 Series Ultra -Low Power Entry -LEVE MCU
- Melexis uruchamia pełny zintegrowany układ przełącznika indukcyjnego
- X-FAB wprowadza technologię oświetlenia czujnika obrazu w celu zwiększenia wydajności czujnika CMOS