RWR80NR110FRBSL พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ RWR80NR110FRBSL เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ RWR80NR110FRBSL ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ RWR80NR110FRBSL ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
RWR80NR110FRBSL
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- RWR80NR110FRBSL
- ผู้ผลิต:
- Dale / Vishay
- ลักษณะ:
- RES 0.11 OHM 2W 1% WW AXIAL
- สถานะตะกั่วฟรี:
- ประกอบด้วยสารตะกั่ว / ไม่เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS
- ปริมาณสต็อค:
- 41180 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- RWR80NR110FRBSL.pdf
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| อัตราส่วนแรงดันไฟฟ้า - AC: | R (0.01%) |
| แรงดันไฟฟ้า - การทำงาน: | 2W |
| แรงดันไฟฟ้า - พังทลาย: | Axial |
| ความหนา (สูงสุด): | ±650ppm/°C |
| ขนาด / มิติ: | 0.094" Dia x 0.406" L (2.39mm x 10.31mm) |
| ชุด: | Military, MIL-PRF-39007, RWR80N |
| สถานะ RoHS: | Bulk |
| โพลาไรซ์: | Axial |
| ชื่ออื่น: | RWR80NR110FRBSL-MIL |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -55°C ~ 250°C |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน: | 16 Weeks |
| หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต: | RWR80NR110FRBSL |
| ความสูง - นั่ง (สูงสุด): | - |
| คุณลักษณะเด่น: | Military, Moisture Resistant, Non-Inductive |
| FIFO ของ: | 2 |
| ขยายคำอธิบาย: | 0.11 Ohm ±1% 2W Through Hole Resistor Axial Military, Moisture Resistant, Non-Inductive Wirewound |
| ESR (ต้านทานอนุกรมเทียบเท่า): | ±1% |
| ลักษณะ: | RES 0.11 OHM 2W 1% WW AXIAL |
| เคลือบประเภทที่อยู่อาศัย: | Wirewound |
| แบนด์วิดธ์: | 0.11 |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ RWR80NR110FRBSL
ข่าว Latest
- Moels Micro Electronics ได้จัดตั้งสำนักงานใหม่ในไต้หวันประเทศจีนเพื่อขยายอาณาเขตธุรกิจ
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- รายงานทางการเงินในไตรมาสแรกของ SEF Semiconductor (ST) ลดลงและความต้องการรถยนต์ก็ชะลอตัวลง
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- ปริมาณชิปสำหรับผู้ใหญ่ในท้องถิ่นความสามารถในการผลิตหน่วยความจำ Samsung Nand Flash ใกล้โหลด
- Vishay เปิดตัวบรรจุภัณฑ์ขนาดเล็กความสว่างสูงสีน้ำเงินและสีเขียวบริสุทธิ์บริสุทธิ์
- Ansonmei เปิดตัวเซ็นเซอร์ตำแหน่งอุปนัยสำหรับตลาดอุตสาหกรรมและการขนส่ง
- Ruisa เริ่มต้นโรงงานเก่าเพื่อเพิ่มอุปกรณ์พลังงานแผ่นดินไหวส่งผลกระทบต่อการส่งออก DRAM เล็กน้อย
- Microchip ช่วยให้กำลังการผลิตของ TSMC และเพิ่มราคาเพิ่มขึ้น
- Ruisa เปิดตัว RA0 ซีรี่ส์ใหม่ Ultra -low Power Entry -level MCU
- Melexis เปิดตัวชิปสวิตช์ตัวเหนี่ยวนำแบบครบวงจร
- X-FAB แนะนำเทคโนโลยีการส่องสว่างเซ็นเซอร์ด้านหลังเพื่อเพิ่มประสิทธิภาพเซ็นเซอร์ CMOS