RUT2012JR620CS jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla RUT2012JR620CS, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla RUT2012JR620CS przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup RUT2012JR620CS z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
RUT2012JR620CS
- Part Number:
- RUT2012JR620CS
- Producent:
- Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
- Opis:
- RES 0.62 OHM 5% 1/4W 0805
- Wielkość zbiorów:
- 54127 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- 1.RUT2012JR620CS.pdf2.RUT2012JR620CS.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Tolerancja: | ±5% |
| Współczynnik temperaturowy: | ±150ppm/°C |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 0805 |
| Rozmiar / Wymiar: | 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm) |
| Seria: | RUT |
| Tryb panel: | 620 mOhms |
| Moc (W): | 0.25W, 1/4W |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | 0805 (2012 Metric) |
| temperatura robocza: | -55°C ~ 155°C |
| Liczba zakończeń: | 2 |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 26 Weeks |
| Wysokość - Siedzą (Max): | 0.024" (0.61mm) |
| cechy: | Current Sense, Moisture Resistant |
| Współczynnik awaryjności: | - |
| szczegółowy opis: | 620 mOhms ±5% 0.25W, 1/4W Chip Resistor 0805 (2012 Metric) Current Sense, Moisture Resistant Thick Film |
| Kompozycja: | Thick Film |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do RUT2012JR620CS
Latest Aktualności
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia
- Vishay wprowadza miniledowane opakowanie o wysokiej jasności małą niebieską i czystą zieloną diodę LED
- Ansonmei uruchomił indukcyjny czujnik pozycji dla rynku przemysłowego i transportowego
- Ruisa rozpoczyna starą fabrykę w celu zwiększenia urządzenia mocy, trzęsienie ziemi wpływa na łagodne wyjście DRAM
- Microchip umożliwia zdolność produkcyjną TSMC i podnosi podwyżki cen