RR01J5R6TB jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla RR01J5R6TB, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla RR01J5R6TB przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup RR01J5R6TB z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
RR01J5R6TB
- Part Number:
- RR01J5R6TB
- Producent:
- AMP Connectors / TE Connectivity
- Opis:
- RES 5.60 OHM 1W 5% AXIAL
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 23923 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- RR01J5R6TB.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Tolerancja: | ±5% |
| Współczynnik temperaturowy: | ±300ppm/°C |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | Axial |
| Rozmiar / Wymiar: | 0.102" Dia x 0.268" L (2.60mm x 6.80mm) |
| Seria: | RR, Neohm |
| Tryb panel: | 5.6 Ohms |
| Moc (W): | 1W |
| Opakowania: | Tape & Box (TB) |
| Package / Case: | Axial |
| Inne nazwy: | 3-1879350-5 3-1879350-5-ND A138206TB A138206TR A138206TR-ND RR01J5R6TB-ND |
| temperatura robocza: | -55°C ~ 235°C |
| Liczba zakończeń: | 2 |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 15 Weeks |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Wysokość - Siedzą (Max): | - |
| cechy: | Flame Retardant Coating, Pulse Withstanding, Safety |
| Współczynnik awaryjności: | - |
| szczegółowy opis: | 5.6 Ohms ±5% 1W Through Hole Resistor Axial Flame Retardant Coating, Pulse Withstanding, Safety Metal Film |
| Kompozycja: | Metal Film |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do RR01J5R6TB
Latest Aktualności
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia