RNA4A8E183JT jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla RNA4A8E183JT, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla RNA4A8E183JT przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup RNA4A8E183JT z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
RNA4A8E183JT
- Part Number:
- RNA4A8E183JT
- Producent:
- AVX Corporation
- Opis:
- RES ARRAY 8 RES 18K OHM 1608
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 57465 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- RNA4A8E183JT.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Tolerancja: | ±5% |
| Współczynnik temperaturowy: | - |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 1608 |
| Rozmiar / Wymiar: | 0.157" L x 0.083" W (4.00mm x 2.10mm) |
| Seria: | RNA4A, Kyocera |
| Resistor-Ratio-Drift: | - |
| Współczynnik dopasowania rezystora: | - |
| Oporność (Ohm): | 18k |
| Moc na element: | 62.5mW |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | 1608, Concave, Long Side Terminals |
| temperatura robocza: | -55°C ~ 125°C |
| Liczba rezystorów: | 8 |
| Ilość Pins: | 10 |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Wysokość - Siedzą (Max): | 0.028" (0.70mm) |
| szczegółowy opis: | 18k Ohm ±5% 62.5mW Power Per Element Bussed 8 Resistor Network/Array 1608, Concave, Long Side Terminals |
| Rodzaj obwodu: | Bussed |
| Aplikacje: | - |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do RNA4A8E183JT
Latest Aktualności
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia