RN55E4811BRE6 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla RN55E4811BRE6, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla RN55E4811BRE6 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup RN55E4811BRE6 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
RN55E4811BRE6
- Part Number:
- RN55E4811BRE6
- Producent:
- Dale / Vishay
- Opis:
- RES 4.81K OHM 1/8W .1% AXIAL
- Status bezołowiowy:
- Zawiera ołów / RoHS niezgodny
- Wielkość zbiorów:
- 54763 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- RN55E4811BRE6.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie znamionowe - AC: | - |
| Napięcie - Working: | 0.125W, 1/8W |
| Napięcie - Podział: | Axial |
| Grubość (maks): | ±25ppm/°C |
| Rozmiar / Wymiar: | 0.090" Dia x 0.240" L (2.29mm x 6.10mm) |
| Seria: | Military, MIL-R-10509/7, RN55 |
| Stan RoHS: | Tape & Reel (TR) |
| Polaryzacja: | Axial |
| Inne nazwy: | RN55E4811BRE6-MIL |
| temperatura robocza: | -65°C ~ 175°C |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 11 Weeks |
| Numer części producenta: | RN55E4811BRE6 |
| Wysokość - Siedzą (Max): | - |
| cechy: | Flame Retardant Coating, Military, Moisture Resistant, Safety |
| FIFO: | 2 |
| Rozszerzony opis: | 4.81k Ohm ±0.1% 0.125W, 1/8W Through Hole Resistor Axial Flame Retardant Coating, Military, Moisture Resistant, Safety Metal Film |
| ESR (Equivalent Series Resistance): | ±0.1% |
| Opis: | RES 4.81K OHM 1/8W .1% AXIAL |
| Okładziny, Typ obudowy: | Metal Film |
| Pasmo: | 4.81k |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do RN55E4811BRE6
Latest Aktualności
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia