RMPG06BHE3_A/54 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla RMPG06BHE3_A/54, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla RMPG06BHE3_A/54 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup RMPG06BHE3_A/54 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
RMPG06BHE3_A/54
- Part Number:
- RMPG06BHE3_A/54
- Producent:
- Opis:
- DIODE GEN PURP 100V 1A MPG06
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 49645 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- RMPG06BHE3_A/54.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Szczyt Rewers (Max): | Standard |
| Napięcie - Forward (VF) (Max) @ Jeśli: | 1A |
| Napięcie - Podział: | MPG06 |
| Seria: | - |
| Stan RoHS: | Tape & Reel (TR) |
| Odwrócona Recovery Time (TRR): | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Odporność @ Jeżeli F: | 6.6pF @ 4V, 1MHz |
| Polaryzacja: | MPG06, Axial |
| Temperatura pracy - złącze: | 150ns |
| Rodzaj mocowania: | Through Hole |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 26 Weeks |
| Numer części producenta: | RMPG06BHE3_A/54 |
| Rozszerzony opis: | Diode Standard 100V 1A Through Hole MPG06 |
| Diode Configuration: | 5µA @ 100V |
| Opis: | DIODE GEN PURP 100V 1A MPG06 |
| Obecny - Reverse Przeciek @ Vr: | 1.3V @ 1A |
| Obecny - Średnia Spirytus (Io) (za Diode): | 100V |
| Pojemność @ VR F: | -55°C ~ 150°C |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do RMPG06BHE3_A/54
Latest Aktualności
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia