RM25C256DS-LSNI-B jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla RM25C256DS-LSNI-B, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla RM25C256DS-LSNI-B przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup RM25C256DS-LSNI-B z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
RM25C256DS-LSNI-B
- Part Number:
- RM25C256DS-LSNI-B
- Producent:
- Adesto Technologies
- Opis:
- IC CBRAM 256K SPI 20MHZ 8SOIC
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 30225 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- RM25C256DS-LSNI-B.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Zapisać czas cyklu - słowo, strona: | 100µs, 2.5ms |
| Napięcie - Dostawa: | 1.65 V ~ 3.6 V |
| Technologia: | CBRAM |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 8-SOIC |
| Seria: | Mavriq™ |
| Opakowania: | Tube |
| Package / Case: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Inne nazwy: | 1265-1246 |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Typ pamięci: | Non-Volatile |
| Rozmiar pamięci: | 256kb (64B Page Size) |
| Interfejs pamięci: | SPI |
| Format pamięci: | CBRAM® |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 26 Weeks |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| szczegółowy opis: | CBRAM Memory IC 256kb (64B Page Size) SPI 20MHz 8-SOIC |
| Częstotliwość zegara: | 20MHz |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do RM25C256DS-LSNI-B
Latest Aktualności
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia
- Vishay wprowadza miniledowane opakowanie o wysokiej jasności małą niebieską i czystą zieloną diodę LED
- Ansonmei uruchomił indukcyjny czujnik pozycji dla rynku przemysłowego i transportowego
- Ruisa rozpoczyna starą fabrykę w celu zwiększenia urządzenia mocy, trzęsienie ziemi wpływa na łagodne wyjście DRAM
- Microchip umożliwia zdolność produkcyjną TSMC i podnosi podwyżki cen
- Ruisa uruchomiła nowy RA0 Series Ultra -Low Power Entry -LEVE MCU
- Melexis uruchamia pełny zintegrowany układ przełącznika indukcyjnego
- X-FAB wprowadza technologię oświetlenia czujnika obrazu w celu zwiększenia wydajności czujnika CMOS