RHT0J681MDN1PH jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla RHT0J681MDN1PH, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla RHT0J681MDN1PH przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup RHT0J681MDN1PH z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
RHT0J681MDN1PH
- Part Number:
- RHT0J681MDN1PH
- Producent:
- Nichicon
- Opis:
- CAP ALUM POLY 680UF 20% 6.3V T/H
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 52966 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- 1.RHT0J681MDN1PH.pdf2.RHT0J681MDN1PH.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - znamionowe: | 6.3V |
| Rodzaj: | Polymer |
| Tolerancja: | ±20% |
| Montaż powierzchniowy Powierzchnia gruntu: | - |
| Rozmiar / Wymiar: | 0.394" Dia (10.00mm) |
| Seria: | FPCAP, RHT |
| Ripple Current @ Low Frequency: | 545mA @ 120Hz |
| Ripple Current @ High Frequency: | 5.45A @ 100kHz |
| oceny: | - |
| Opakowania: | Tape & Box (TB) |
| Package / Case: | Radial, Can |
| temperatura robocza: | -55°C ~ 125°C |
| Rodzaj mocowania: | Through Hole |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 18 Weeks |
| Żywotność @ Temp.: | 1000 Hrs @ 125°C |
| Główny odstęp: | 0.197" (5.00mm) |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Wysokość - Siedzą (Max): | 0.551" (14.00mm) |
| ESR (Equivalent Series Resistance): | 12 mOhm |
| szczegółowy opis: | 680µF 6.3V Aluminum Polymer Capacitor Radial, Can 12 mOhm 1000 Hrs @ 125°C |
| Pojemność: | 680µF |
| Aplikacje: | General Purpose |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do RHT0J681MDN1PH
Latest Aktualności
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia
- Vishay wprowadza miniledowane opakowanie o wysokiej jasności małą niebieską i czystą zieloną diodę LED
- Ansonmei uruchomił indukcyjny czujnik pozycji dla rynku przemysłowego i transportowego
- Ruisa rozpoczyna starą fabrykę w celu zwiększenia urządzenia mocy, trzęsienie ziemi wpływa na łagodne wyjście DRAM
- Microchip umożliwia zdolność produkcyjną TSMC i podnosi podwyżki cen