RGC1A23D20KGU jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla RGC1A23D20KGU, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla RGC1A23D20KGU przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup RGC1A23D20KGU z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
RGC1A23D20KGU
- Part Number:
- RGC1A23D20KGU
- Producent:
- Carlo Gavazzi
- Opis:
- RELAY SSR 32VDC 1PH 230V 23A
- Status bezołowiowy:
- Zgodny z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 53450 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- RGC1A23D20KGU.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Obciążenie: | 24 ~ 240 V |
| Napięcie - Wejście: | 3 ~ 32VDC |
| Termination Style: | Screw Terminal |
| Seria: | RGC |
| Status RoHS: | RoHS Compliant |
| Opakowania: | Bulk |
| Package / Case: | SSR with Integrated Heat Sink |
| Typ wyjścia: | AC, Zero Cross |
| Inne nazwy: | 1864-1170 |
| Rodzaj mocowania: | Chassis Mount, DIN Rail |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | Not Applicable |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 3 Weeks |
| Prąd ładowania: | 23A |
| Obwód: | SPST-NO (1 Form A) |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do RGC1A23D20KGU
Latest Aktualności
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia
- Vishay wprowadza miniledowane opakowanie o wysokiej jasności małą niebieską i czystą zieloną diodę LED
- Ansonmei uruchomił indukcyjny czujnik pozycji dla rynku przemysłowego i transportowego
- Ruisa rozpoczyna starą fabrykę w celu zwiększenia urządzenia mocy, trzęsienie ziemi wpływa na łagodne wyjście DRAM
- Microchip umożliwia zdolność produkcyjną TSMC i podnosi podwyżki cen