RF062PJ240CS jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla RF062PJ240CS, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla RF062PJ240CS przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup RF062PJ240CS z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
RF062PJ240CS
- Part Number:
- RF062PJ240CS
- Producent:
- Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
- Opis:
- RES ARRAY 2 RES 24 OHM 0302
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 47622 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- 1.RF062PJ240CS.pdf2.RF062PJ240CS.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Tolerancja: | ±5% |
| Współczynnik temperaturowy: | ±250ppm/°C |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 0603 |
| Rozmiar / Wymiar: | 0.032" L x 0.024" W (0.80mm x 0.60mm) |
| Seria: | RF |
| Resistor-Ratio-Drift: | - |
| Współczynnik dopasowania rezystora: | - |
| Oporność (Ohm): | 24 |
| Moc na element: | 31mW |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | 0302 (0805 Metric), Long Side Terminals |
| Inne nazwy: | 1276-6023-2 |
| temperatura robocza: | -55°C ~ 125°C |
| Liczba rezystorów: | 2 |
| Ilość Pins: | 4 |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 26 Weeks |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Wysokość - Siedzą (Max): | 0.013" (0.33mm) |
| szczegółowy opis: | 24 Ohm ±5% 31mW Power Per Element Isolated 2 Resistor Network/Array ±250ppm/°C 0302 (0805 Metric), Long Side Terminals |
| Rodzaj obwodu: | Isolated |
| Aplikacje: | - |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do RF062PJ240CS
Latest Aktualności
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia