RDE5C2A5R0C0M1H03A jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla RDE5C2A5R0C0M1H03A, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla RDE5C2A5R0C0M1H03A przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup RDE5C2A5R0C0M1H03A z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
RDE5C2A5R0C0M1H03A
- Part Number:
- RDE5C2A5R0C0M1H03A
- Producent:
- Murata Electronics
- Opis:
- CAP CER 5PF 100V C0G/NP0 RADIAL
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 55950 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - znamionowe: | 100V |
| Tolerancja: | ±0.25pF |
| Grubość (maks): | - |
| Współczynnik temperaturowy: | C0G, NP0 |
| Rozmiar / Wymiar: | 0.157" L x 0.098" W (4.00mm x 2.50mm) |
| Seria: | RDE |
| oceny: | - |
| Opakowania: | Tape & Box (TB) |
| Package / Case: | Radial |
| Inne nazwy: | 490-9120-3 |
| temperatura robocza: | -55°C ~ 125°C |
| Rodzaj mocowania: | Through Hole |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Główny odstęp: | 0.197" (5.00mm) |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Wysokość - Siedzą (Max): | 0.236" (6.00mm) |
| cechy: | - |
| szczegółowy opis: | 5pF ±0.25pF 100V Ceramic Capacitor C0G, NP0 Radial |
| Pojemność: | 5pF |
| Aplikacje: | General Purpose |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do RDE5C2A5R0C0M1H03A
Latest Aktualności
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia