RD28F1604C3BD70A jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla RD28F1604C3BD70A, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla RD28F1604C3BD70A przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup RD28F1604C3BD70A z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
RD28F1604C3BD70A
- Part Number:
- RD28F1604C3BD70A
- Producent:
- Micron Technology
- Opis:
- IC FLASH RAM 16MIT PARAL 66SCSP
- Status bezołowiowy:
- Zawiera ołów / RoHS niezgodny
- Wielkość zbiorów:
- 35052 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- RD28F1604C3BD70A.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Zapisać czas cyklu - słowo, strona: | 70ns |
| Napięcie - Dostawa: | 2.7 V ~ 3.3 V |
| Technologia: | FLASH, SRAM |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 66-SCSP (12x8) |
| Seria: | - |
| Opakowania: | Tray |
| Package / Case: | 66-LFBGA, CSPBGA |
| Inne nazwy: | 855156 855157 855157-ND RD28F1604C3BD70855156 RD28F1604C3BD70SB93 |
| temperatura robocza: | -25°C ~ 85°C (TA) |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Typ pamięci: | Non-Volatile |
| Rozmiar pamięci: | 16Mbit Flash, 4Mbit RAM |
| Interfejs pamięci: | Parallel |
| Format pamięci: | FLASH, RAM |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| szczegółowy opis: | FLASH, SRAM Memory IC 16Mbit Flash, 4Mbit RAM Parallel 70ns 66-SCSP (12x8) |
| Podstawowy numer części: | 28F1604C3 |
| Czas dostępu: | 70ns |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do RD28F1604C3BD70A
Latest Aktualności
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia
- Vishay wprowadza miniledowane opakowanie o wysokiej jasności małą niebieską i czystą zieloną diodę LED
- Ansonmei uruchomił indukcyjny czujnik pozycji dla rynku przemysłowego i transportowego
- Ruisa rozpoczyna starą fabrykę w celu zwiększenia urządzenia mocy, trzęsienie ziemi wpływa na łagodne wyjście DRAM
- Microchip umożliwia zdolność produkcyjną TSMC i podnosi podwyżki cen
- Ruisa uruchomiła nowy RA0 Series Ultra -Low Power Entry -LEVE MCU
- Melexis uruchamia pełny zintegrowany układ przełącznika indukcyjnego
- X-FAB wprowadza technologię oświetlenia czujnika obrazu w celu zwiększenia wydajności czujnika CMOS