R5F6411FNLG#U0 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla R5F6411FNLG#U0, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla R5F6411FNLG#U0 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup R5F6411FNLG#U0 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
R5F6411FNLG#U0
- Part Number:
- R5F6411FNLG#U0
- Producent:
- Renesas Electronics America
- Opis:
- IC MCU 32BIT 256KB FLASH 100LGA
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 20551 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- 1.R5F6411FNLG#U0.pdf2.R5F6411FNLG#U0.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Dostawa (Vcc / Vdd): | 3 V ~ 5.5 V |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 100-TFLGA (5.5x5.5) |
| Prędkość: | 50MHz |
| Seria: | M16C/R32C/100/111 |
| Wielkość pamięci RAM: | 32K x 8 |
| Typ pamięci programu: | FLASH |
| Rozmiar pamięci programu: | 256KB (256K x 8) |
| Peryferia: | DMA, LVD, PWM, WDT |
| Opakowania: | Tray |
| Package / Case: | 100-TFLGA |
| Inne nazwy: | R5F6411FNLGU0 |
| Typ oscylatora: | Internal |
| temperatura robocza: | -20°C ~ 85°C (TA) |
| Liczba I / O: | 82 |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Rozmiar EEPROM: | - |
| szczegółowy opis: | R32C/100 M16C/R32C/100/111 Microcontroller IC 16/32-Bit 50MHz 256KB (256K x 8) FLASH 100-TFLGA (5.5x5.5) |
| Konwertery danych: | A/D 26x10b; D/A 2x8b |
| rdzeń Rozmiar: | 16/32-Bit |
| Core Processor: | R32C/100 |
| Łączność: | EBI/EMI, I²C, IEBus, UART/USART |
| Podstawowy numer części: | R5F6411 |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do R5F6411FNLG#U0
Latest Aktualności
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash