R5F11EFAAFP#50 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla R5F11EFAAFP#50, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla R5F11EFAAFP#50 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup R5F11EFAAFP#50 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
R5F11EFAAFP#50
- Part Number:
- R5F11EFAAFP#50
- Producent:
- Renesas Electronics America
- Opis:
- IC MCU 16BIT 16KB FLASH 44LQFP
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 36299 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- R5F11EFAAFP#50.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Dostawa (Vcc / Vdd): | 2.7 V ~ 5.5 V |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 44-LQFP (10x10) |
| Prędkość: | 24MHz |
| Seria: | RL78/G1G |
| Wielkość pamięci RAM: | 1.5K x 8 |
| Typ pamięci programu: | FLASH |
| Rozmiar pamięci programu: | 16KB (16K x 8) |
| Peryferia: | LVD, POR, PWM, WDT |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | 44-LQFP |
| Typ oscylatora: | Internal |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Liczba I / O: | 35 |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Rozmiar EEPROM: | - |
| szczegółowy opis: | RL78 RL78/G1G Microcontroller IC 16-Bit 24MHz 16KB (16K x 8) FLASH 44-LQFP (10x10) |
| Konwertery danych: | A/D 12x10b |
| rdzeń Rozmiar: | 16-Bit |
| Core Processor: | RL78 |
| Łączność: | CSI, I²C, UART/USART |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do R5F11EFAAFP#50
Latest Aktualności
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił