R10-E1X2-S800 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla R10-E1X2-S800, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla R10-E1X2-S800 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup R10-E1X2-S800 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
R10-E1X2-S800
- Part Number:
- R10-E1X2-S800
- Producent:
- Agastat Relays / TE Connectivity
- Opis:
- RELAY GEN PURPOSE DPDT 5A 12V
- Status bezołowiowy:
- Zawiera RoHS / RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 32815 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- R10-E1X2-S800.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Włącz napięcie (maks): | 9 VDC |
| Wyłącz napięcie (Min): | - |
| Termination Style: | Plug In |
| przełączanie napięcia: | 120VAC, 30VDC - Max |
| Seria: | R10 |
| Relay Type: | General Purpose |
| Opakowania: | Bulk |
| Inne nazwy: | 1393766-3 1393766-3-ND 13937663 PB1952 R10-E1X2-S800-ND |
| temperatura robocza: | -55°C ~ 75°C |
| Rodzaj mocowania: | Socketable |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 23 Weeks |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Contains lead / RoHS Compliant |
| cechy: | - |
| szczegółowy opis: | General Purpose Relay DPDT (2 Form C) 12VDC Coil Socketable |
| Kontakt Ocena (prąd stały): | 5A |
| Materiał styków: | Silver Cadmium Oxide (AgCdO) |
| Formularz kontaktowy: | DPDT (2 Form C) |
| Napięcie cewki: | 12VDC |
| Coil Type: | Non Latching |
| Coil Resistance: | 800 Ohms |
| cewka zasilania: | 180 mW |
| Aktualny Coil: | 15.0mA |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do R10-E1X2-S800
Latest Aktualności
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił