PWR4525NR200JE jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla PWR4525NR200JE, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla PWR4525NR200JE przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup PWR4525NR200JE z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
PWR4525NR200JE
- Part Number:
- PWR4525NR200JE
- Producent:
- Bourns, Inc.
- Opis:
- RES SMD 0.2 OHM 5% 2W 4525
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 34081 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- PWR4525NR200JE.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie znamionowe - AC: | - |
| Napięcie - Working: | 2W |
| Napięcie - Podział: | - |
| Grubość (maks): | ±150ppm/°C |
| Rozmiar / Wymiar: | 0.449" L x 0.252" W (11.40mm x 6.40mm) |
| Seria: | PWR4525 |
| Stan RoHS: | Tape & Reel (TR) |
| Polaryzacja: | 4525 J-Lead |
| temperatura robocza: | -55°C ~ 275°C |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 17 Weeks |
| Numer części producenta: | PWR4525NR200JE |
| Wysokość - Siedzą (Max): | 0.197" (5.00mm) |
| cechy: | Current Sense, Moisture Resistant, Non-Inductive, Pulse Withstanding |
| FIFO: | 2 |
| Rozszerzony opis: | 0.2 Ohm ±5% 2W Chip Resistor 4525 J-Lead Current Sense, Moisture Resistant, Non-Inductive, Pulse Withstanding Wirewound |
| ESR (Equivalent Series Resistance): | ±5% |
| Opis: | RES SMD 0.2 OHM 5% 2W 4525 |
| Okładziny, Typ obudowy: | Wirewound |
| Pasmo: | 0.2 |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do PWR4525NR200JE
Latest Aktualności
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash