PTZTE256.8A jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla PTZTE256.8A, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla PTZTE256.8A przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup PTZTE256.8A z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
PTZTE256.8A
- Part Number:
- PTZTE256.8A
- Producent:
- LAPIS Semiconductor
- Opis:
- DIODE ZENER 6.8V 1W PMDS
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 56153 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- PTZTE256.8A.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie Zenera - (nominalne) (Vz): | 6.8V |
| Tolerancja: | ±6% |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | PMDS |
| Seria: | - |
| Moc - Max: | 1W |
| Opakowania: | Cut Tape (CT) |
| Package / Case: | DO-214AC, SMA |
| Inne nazwy: | PTZTE256.8ACT |
| temperatura robocza: | - |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Impedancja (Max) (Zzt): | 6 Ohms |
| szczegółowy opis: | Zener Diode 6.8V 1W ±6% Surface Mount PMDS |
| Obecny - Reverse Przeciek @ Vr: | 20µA @ 3.5V |
| Podstawowy numer części: | PTZ6V8 |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do PTZTE256.8A
Latest Aktualności
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia
- Vishay wprowadza miniledowane opakowanie o wysokiej jasności małą niebieską i czystą zieloną diodę LED
- Ansonmei uruchomił indukcyjny czujnik pozycji dla rynku przemysłowego i transportowego
- Ruisa rozpoczyna starą fabrykę w celu zwiększenia urządzenia mocy, trzęsienie ziemi wpływa na łagodne wyjście DRAM
- Microchip umożliwia zdolność produkcyjną TSMC i podnosi podwyżki cen