PTVA120121M-V1-R1K jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla PTVA120121M-V1-R1K, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla PTVA120121M-V1-R1K przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup PTVA120121M-V1-R1K z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
PTVA120121M-V1-R1K
- Part Number:
- PTVA120121M-V1-R1K
- Producent:
- Cree Wolfspeed
- Opis:
- RF MOSFET LDMOS 48V PG-SON-10
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 27295 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- PTVA120121M-V1-R1K.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Test: | 48V |
| Napięcie - znamionowe: | 105V |
| Typ tranzystora: | LDMOS |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | PG-SON-10 |
| Seria: | * |
| Moc - Wyjście: | 15.62W |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | 10-LDFN Exposed Pad |
| Inne nazwy: | PTVA120121MV1R1KXUMA1 PTVA120121MV1R1KXUMA1-ND SP001334292 |
| noise Figure: | - |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 12 Weeks |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Zdobyć: | 21.64dB |
| Częstotliwość: | 500MHz ~ 1.4GHz |
| szczegółowy opis: | RF Mosfet LDMOS 48V 50mA 500MHz ~ 1.4GHz 21.64dB 15.62W PG-SON-10 |
| Aktualna ocena: | 1µA |
| Obecny - Test: | 50mA |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do PTVA120121M-V1-R1K
Latest Aktualności
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia
- Vishay wprowadza miniledowane opakowanie o wysokiej jasności małą niebieską i czystą zieloną diodę LED
- Ansonmei uruchomił indukcyjny czujnik pozycji dla rynku przemysłowego i transportowego
- Ruisa rozpoczyna starą fabrykę w celu zwiększenia urządzenia mocy, trzęsienie ziemi wpływa na łagodne wyjście DRAM
- Microchip umożliwia zdolność produkcyjną TSMC i podnosi podwyżki cen
- Ruisa uruchomiła nowy RA0 Series Ultra -Low Power Entry -LEVE MCU
- Melexis uruchamia pełny zintegrowany układ przełącznika indukcyjnego
- X-FAB wprowadza technologię oświetlenia czujnika obrazu w celu zwiększenia wydajności czujnika CMOS