PTFA091201FV4R250XTMA1 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla PTFA091201FV4R250XTMA1, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla PTFA091201FV4R250XTMA1 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup PTFA091201FV4R250XTMA1 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
PTFA091201FV4R250XTMA1
- Part Number:
- PTFA091201FV4R250XTMA1
- Opis:
- IC FET RF LDMOS 120W H-37248-2
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 58718 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- PTFA091201FV4R250XTMA1.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Test: | 28V |
| Napięcie - znamionowe: | 65V |
| Typ tranzystora: | LDMOS |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | H-37248-2 |
| Seria: | - |
| Moc - Wyjście: | 110W |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | 2-Flatpack, Fin Leads, Flanged |
| Inne nazwy: | PTFA091201F V4 R250 PTFA091201F V4 R250-ND PTFA091201FV4R250XTMA1TR SP000387077 |
| noise Figure: | - |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Zdobyć: | 19dB |
| Częstotliwość: | 960MHz |
| szczegółowy opis: | RF Mosfet LDMOS 28V 750mA 960MHz 19dB 110W H-37248-2 |
| Aktualna ocena: | 10µA |
| Obecny - Test: | 750mA |
| Podstawowy numer części: | PTFA091201 |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do PTFA091201FV4R250XTMA1
Latest Aktualności
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia