PSMN6R5-30MLDX jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla PSMN6R5-30MLDX, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla PSMN6R5-30MLDX przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup PSMN6R5-30MLDX z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
PSMN6R5-30MLDX
- Part Number:
- PSMN6R5-30MLDX
- Producent:
- Nexperia
- Opis:
- MOSFET N-CH 30V MLFP
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 56042 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- PSMN6R5-30MLDX.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Test: | 817pF @ 15V |
| Napięcie - Podział: | LFPAK33 |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 6.5 mOhm @ 15A, 10V |
| Vgs (maks.): | 4.5V, 10V |
| Technologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Seria: | - |
| Stan RoHS: | Digi-Reel® |
| RDS (Max) @ ID, Vgs: | 65A (Tc) |
| Polaryzacja: | SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead) |
| Inne nazwy: | 1727-2220-6 568-12474-6 568-12474-6-ND |
| temperatura robocza: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 20 Weeks |
| Numer części producenta: | PSMN6R5-30MLDX |
| Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds: | 13.6nC @ 10V |
| Rodzaj IGBT: | ±20V |
| Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs: | 2.2V @ 1mA |
| Cecha FET: | N-Channel |
| Rozszerzony opis: | N-Channel 30V 65A (Tc) 51W (Tc) Surface Mount LFPAK33 |
| Spust do źródła napięcia (Vdss): | - |
| Opis: | MOSFET N-CH 30V MLFP |
| Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C: | 30V |
| Stosunek pojemności: | 51W (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do PSMN6R5-30MLDX
Latest Aktualności
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash