PI3DPX1202A2ZBIE jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla PI3DPX1202A2ZBIE, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla PI3DPX1202A2ZBIE przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup PI3DPX1202A2ZBIE z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
PI3DPX1202A2ZBIE
- Part Number:
- PI3DPX1202A2ZBIE
- Producent:
- Diodes Incorporated
- Opis:
- DISPLAY SWITCH V-QFN7070-48 TRAY
- Wielkość zbiorów:
- 24832 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- PI3DPX1202A2ZBIE.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Dostawa: | 3 V ~ 3.6 V |
| Rodzaj: | Buffer, ReDriver |
| Kondycjonowanie sygnałów: | Input Equalization, Output Pre-Emphasis |
| Seria: | ReDriver™ |
| Opakowania: | Tube |
| Wydajność: | DisplayPort |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 85°C |
| Liczba kanałów: | 1 |
| Wkład: | DisplayPort |
| szczegółowy opis: | Buffer, ReDriver 1 Channel 5.4Gbps |
| Czas zwłoki: | - |
| Szybkość transmisji danych (maks.): | 5.4Gbps |
| Obecny - Dostawa: | - |
| Aplikacje: | DisplayPort |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do PI3DPX1202A2ZBIE
Latest Aktualności
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia