PHE850EF6470MF14R06L2 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla PHE850EF6470MF14R06L2, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla PHE850EF6470MF14R06L2 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup PHE850EF6470MF14R06L2 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
PHE850EF6470MF14R06L2
- Part Number:
- PHE850EF6470MF14R06L2
- Producent:
- KEMET
- Opis:
- CAP FILM 0.47UF 20% 1.25KVDC RAD
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 42778 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- PHE850EF6470MF14R06L2.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie znamionowe - DC: | 1250V (1.25kV) |
| Napięcie znamionowe - AC: | 300V |
| Tolerancja: | ±20% |
| Zakończenie: | PC Pins |
| Rozmiar / Wymiar: | 1.240" L x 0.689" W (31.50mm x 17.50mm) |
| Seria: | PHE850 |
| oceny: | Y2 |
| Opakowania: | Bulk |
| Package / Case: | Radial |
| Inne nazwy: | 399-5424 F850FR474M300C |
| temperatura robocza: | -55°C ~ 110°C |
| Rodzaj mocowania: | Through Hole |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | Not Applicable |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 20 Weeks |
| Główny odstęp: | 1.083" (27.50mm) |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Wysokość - Siedzą (Max): | 1.102" (28.00mm) |
| cechy: | - |
| Materiał dielektryka: | Polypropylene (PP), Metallized |
| szczegółowy opis: | 0.47µF Film Capacitor 300V 1250V (1.25kV) Polypropylene (PP), Metallized Radial |
| Pojemność: | 0.47µF |
| Aplikacje: | EMI, RFI Suppression |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do PHE850EF6470MF14R06L2
Latest Aktualności
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia