PHE13009/DG,127 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla PHE13009/DG,127, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla PHE13009/DG,127 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup PHE13009/DG,127 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
PHE13009/DG,127
- Part Number:
- PHE13009/DG,127
- Producent:
- WeEn Semiconductors Co., Ltd
- Opis:
- TRANS NPN 400V 12A TO220AB
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 45146 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- PHE13009/DG,127.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - kolektor emiter (Max): | 400V |
| Vce Nasycenie (Max) @ IB, IC: | 2V @ 1.6A, 8A |
| Typ tranzystora: | NPN |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | TO-220AB |
| Seria: | - |
| Moc - Max: | 80W |
| Opakowania: | Tube |
| Package / Case: | TO-220-3 |
| Inne nazwy: | 1740-1200 568-12108-5-ND 568-12108-ND 934065587127 PHE13009/DG,127-ND PHE13009DG127 |
| temperatura robocza: | 150°C (TJ) |
| Rodzaj mocowania: | Through Hole |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Częstotliwość - Transition: | - |
| szczegółowy opis: | Bipolar (BJT) Transistor NPN 400V 12A 80W Through Hole TO-220AB |
| DC Prąd Zysk (hFE) (min) @ Ic, Vce: | 8 @ 5A, 5V |
| Obecny - Collector odcięcia (Max): | 100µA |
| Obecny - Collector (Ic) (maks): | 12A |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do PHE13009/DG,127
Latest Aktualności
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia
- Vishay wprowadza miniledowane opakowanie o wysokiej jasności małą niebieską i czystą zieloną diodę LED
- Ansonmei uruchomił indukcyjny czujnik pozycji dla rynku przemysłowego i transportowego
- Ruisa rozpoczyna starą fabrykę w celu zwiększenia urządzenia mocy, trzęsienie ziemi wpływa na łagodne wyjście DRAM
- Microchip umożliwia zdolność produkcyjną TSMC i podnosi podwyżki cen