PHB38N02LT,118 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla PHB38N02LT,118, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla PHB38N02LT,118 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup PHB38N02LT,118 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
PHB38N02LT,118
- Part Number:
- PHB38N02LT,118
- Producent:
- NXP Semiconductors / Freescale
- Opis:
- MOSFET N-CH 20V 44.7A D2PAK
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 48520 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- PHB38N02LT,118.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 1.5V @ 250µA |
| Vgs (maks.): | 12V |
| Technologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | D2PAK |
| Seria: | TrenchMOS™ |
| RDS (Max) @ ID, Vgs: | 16 mOhm @ 25A, 5V |
| Strata mocy (max): | 57.6W (Tc) |
| Opakowania: | Cut Tape (CT) |
| Package / Case: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Inne nazwy: | 568-2191-1 PHB38N02LT118 |
| temperatura robocza: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds: | 800pF @ 20V |
| Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs: | 15.1nC @ 5V |
| Rodzaj FET: | N-Channel |
| Cecha FET: | - |
| Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On): | 2.5V, 5V |
| Spust do źródła napięcia (Vdss): | 20V |
| szczegółowy opis: | N-Channel 20V 44.7A (Tc) 57.6W (Tc) Surface Mount D2PAK |
| Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C: | 44.7A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do PHB38N02LT,118
Latest Aktualności
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia
- Vishay wprowadza miniledowane opakowanie o wysokiej jasności małą niebieską i czystą zieloną diodę LED
- Ansonmei uruchomił indukcyjny czujnik pozycji dla rynku przemysłowego i transportowego
- Ruisa rozpoczyna starą fabrykę w celu zwiększenia urządzenia mocy, trzęsienie ziemi wpływa na łagodne wyjście DRAM
- Microchip umożliwia zdolność produkcyjną TSMC i podnosi podwyżki cen
- Ruisa uruchomiła nowy RA0 Series Ultra -Low Power Entry -LEVE MCU
- Melexis uruchamia pełny zintegrowany układ przełącznika indukcyjnego
- X-FAB wprowadza technologię oświetlenia czujnika obrazu w celu zwiększenia wydajności czujnika CMOS
- Duża fabryka chipów wpłynęła trzęsienie ziemi: TSMC przestało działać pilnie, zaostrzając zasilanie GPU w krótkim dostawie?