PHB38N02LT,118
PHB38N02LT,118
Número de pieza:
PHB38N02LT,118
Fabricante:
NXP Semiconductors / Freescale
Descripción:
MOSFET N-CH 20V 44.7A D2PAK
Estado sin plomo:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad de stock:
48520 Pieces
El tiempo de entrega:
1-2 days
Tiempo de espera:
4-8 weeks
Ficha de datos:
PHB38N02LT,118.pdf

Introducción

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Especificaciones

Condición New & Original, tested
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VGS (th) (Max) @Id:1.5V @ 250µA
Vgs (Max):12V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:D2PAK
Serie:TrenchMOS™
RDS (Max) @Id, Vgs:16 mOhm @ 25A, 5V
La disipación de energía (máximo):57.6W (Tc)
embalaje:Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Otros nombres:568-2191-1
PHB38N02LT118
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL):1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:800pF @ 20V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:15.1nC @ 5V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):2.5V, 5V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:20V
Descripción detallada:N-Channel 20V 44.7A (Tc) 57.6W (Tc) Surface Mount D2PAK
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:44.7A (Tc)
Email:[email protected]

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