PFE5K2R80 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla PFE5K2R80, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla PFE5K2R80 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup PFE5K2R80 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
PFE5K2R80
- Part Number:
- PFE5K2R80
- Producent:
- Ohmite
- Opis:
- RES CHAS MNT 2.8 OHM 10% 744W
- Status bezołowiowy:
- Zawiera ołów / RoHS niezgodny
- Wielkość zbiorów:
- 25863 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- PFE5K2R80.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Tolerancja: | ±10% |
| Współczynnik temperaturowy: | ±500ppm/°C |
| Rozmiar / Wymiar: | - |
| Seria: | Powr-Rib®PFE |
| Tryb panel: | 2.8 Ohms |
| Moc (W): | 744W |
| Opakowania: | Bulk |
| Package / Case: | Radial, Tubular |
| Inne nazwy: | OHPFE5K2R80 OHPFE5K2R80-ND |
| temperatura robocza: | -55°C ~ 350°C |
| element mocowania: | Brackets |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 15 Weeks |
| Lead Style: | Solder Lugs |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Wysokość - Siedzą (Max): | - |
| cechy: | - |
| Współczynnik awaryjności: | - |
| szczegółowy opis: | 2.8 Ohms ±10% 744W Wirewound Chassis Mount Resistor |
| Kompozycja: | Wirewound |
| Okładziny, Typ obudowy: | Ceramic |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do PFE5K2R80
Latest Aktualności
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia