PDTD123EQAZ jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla PDTD123EQAZ, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla PDTD123EQAZ przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup PDTD123EQAZ z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
PDTD123EQAZ
- Part Number:
- PDTD123EQAZ
- Producent:
- Nexperia
- Opis:
- TRANS PREBIAS NPN 3DFN
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 40516 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- PDTD123EQAZ.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - kolektor emiter (Max): | 50V |
| Vce Nasycenie (Max) @ IB, IC: | 100mV @ 2.5mA, 50mA |
| Typ tranzystora: | NPN - Pre-Biased |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | DFN1010D-3 |
| Seria: | Automotive, AEC-Q101 |
| Rezystor - podstawa nadajnika (R2): | 2.2 kOhms |
| Rezystor - Podstawa (R1): | 2.2 kOhms |
| Moc - Max: | 325mW |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | 3-XDFN Exposed Pad |
| Inne nazwy: | 934069265147 |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 8 Weeks |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Częstotliwość - Transition: | 210MHz |
| szczegółowy opis: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 500mA 210MHz 325mW Surface Mount DFN1010D-3 |
| DC Prąd Zysk (hFE) (min) @ Ic, Vce: | 40 @ 50mA, 5V |
| Obecny - Collector odcięcia (Max): | 500nA |
| Obecny - Collector (Ic) (maks): | 500mA |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do PDTD123EQAZ
Latest Aktualności
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia
- Vishay wprowadza miniledowane opakowanie o wysokiej jasności małą niebieską i czystą zieloną diodę LED
- Ansonmei uruchomił indukcyjny czujnik pozycji dla rynku przemysłowego i transportowego
- Ruisa rozpoczyna starą fabrykę w celu zwiększenia urządzenia mocy, trzęsienie ziemi wpływa na łagodne wyjście DRAM
- Microchip umożliwia zdolność produkcyjną TSMC i podnosi podwyżki cen
- Ruisa uruchomiła nowy RA0 Series Ultra -Low Power Entry -LEVE MCU
- Melexis uruchamia pełny zintegrowany układ przełącznika indukcyjnego
- X-FAB wprowadza technologię oświetlenia czujnika obrazu w celu zwiększenia wydajności czujnika CMOS