PD85025S-E jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla PD85025S-E, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla PD85025S-E przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup PD85025S-E z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
PD85025S-E
- Part Number:
- PD85025S-E
- Producent:
- STMicroelectronics
- Opis:
- FET RF 40V 870MHZ
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 34500 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- PD85025S-E.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Test: | 13.6V |
| Napięcie - znamionowe: | 40V |
| Typ tranzystora: | LDMOS |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | PowerSO-10RF (Straight Lead) |
| Seria: | - |
| Moc - Wyjście: | 10W |
| Opakowania: | Tube |
| Package / Case: | PowerSO-10 Exposed Bottom Pad |
| Inne nazwy: | 497-8298 497-8298-5 497-8298-ND PD85025S-E-ND |
| noise Figure: | - |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Zdobyć: | 17.3dB |
| Częstotliwość: | 870MHz |
| szczegółowy opis: | RF Mosfet LDMOS 13.6V 300mA 870MHz 17.3dB 10W PowerSO-10RF (Straight Lead) |
| Aktualna ocena: | 7A |
| Obecny - Test: | 300mA |
| Podstawowy numer części: | PD85025 |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do PD85025S-E
Latest Aktualności
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia
- Vishay wprowadza miniledowane opakowanie o wysokiej jasności małą niebieską i czystą zieloną diodę LED
- Ansonmei uruchomił indukcyjny czujnik pozycji dla rynku przemysłowego i transportowego
- Ruisa rozpoczyna starą fabrykę w celu zwiększenia urządzenia mocy, trzęsienie ziemi wpływa na łagodne wyjście DRAM
- Microchip umożliwia zdolność produkcyjną TSMC i podnosi podwyżki cen
- Ruisa uruchomiła nowy RA0 Series Ultra -Low Power Entry -LEVE MCU
- Melexis uruchamia pełny zintegrowany układ przełącznika indukcyjnego
- X-FAB wprowadza technologię oświetlenia czujnika obrazu w celu zwiększenia wydajności czujnika CMOS