PD30CNR06PPM5DU jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla PD30CNR06PPM5DU, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla PD30CNR06PPM5DU przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup PD30CNR06PPM5DU z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
PD30CNR06PPM5DU
- Part Number:
- PD30CNR06PPM5DU
- Producent:
- Carlo Gavazzi
- Opis:
- PHT RRI 1M PNP NO/NC DU
- Wielkość zbiorów:
- 39002 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- PD30CNR06PPM5DU.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Dostawa: | 10 V ~ 30 V |
| Seria: | PD |
| Metoda pomiaru: | Retroreflective |
| Zasięg: | 236.22" (6m) |
| Czas odpowiedzi: | 500µs |
| Konfiguracja wyjściowa: | PNP |
| Inne nazwy: | 1864-2119 |
| temperatura robocza: | -25°C ~ 55°C |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | Not Applicable |
| Źródło światła: | Infrared (880nm) |
| Stopień ochrony: | IEC 60529 IP67 |
| Metoda połączenia: | Connector |
| Długość kabla: | - |
| Typ regulacji: | Teaching Method |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do PD30CNR06PPM5DU
Latest Aktualności
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia
- Vishay wprowadza miniledowane opakowanie o wysokiej jasności małą niebieską i czystą zieloną diodę LED
- Ansonmei uruchomił indukcyjny czujnik pozycji dla rynku przemysłowego i transportowego
- Ruisa rozpoczyna starą fabrykę w celu zwiększenia urządzenia mocy, trzęsienie ziemi wpływa na łagodne wyjście DRAM
- Microchip umożliwia zdolność produkcyjną TSMC i podnosi podwyżki cen