PBRN113ZS,126 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla PBRN113ZS,126, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla PBRN113ZS,126 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup PBRN113ZS,126 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
PBRN113ZS,126
- Part Number:
- PBRN113ZS,126
- Producent:
- NXP Semiconductors / Freescale
- Opis:
- TRANS PREBIAS NPN 0.7W TO92-3
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 50282 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- PBRN113ZS,126.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - kolektor emiter (Max): | 40V |
| Vce Nasycenie (Max) @ IB, IC: | 1.15V @ 8mA, 800mA |
| Typ tranzystora: | NPN - Pre-Biased |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | TO-92-3 |
| Seria: | - |
| Rezystor - podstawa nadajnika (R2): | 10 kOhms |
| Rezystor - Podstawa (R1): | 1 kOhms |
| Moc - Max: | 700mW |
| Opakowania: | Tape & Box (TB) |
| Package / Case: | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
| Inne nazwy: | 934059136126 PBRN113ZS AMO PBRN113ZS AMO-ND |
| Rodzaj mocowania: | Through Hole |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| szczegółowy opis: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 40V 800mA 700mW Through Hole TO-92-3 |
| DC Prąd Zysk (hFE) (min) @ Ic, Vce: | 500 @ 300mA, 5V |
| Obecny - Collector odcięcia (Max): | 500nA |
| Obecny - Collector (Ic) (maks): | 800mA |
| Podstawowy numer części: | PBRN113 |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do PBRN113ZS,126
Latest Aktualności
- Qorvo uruchomił wybitne preliminary MmiMo w branży 5G
- Wymaganie inwentaryzacji cyklu symulacji, ai napędza zapotrzebowanie na pamięć flash trwa
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC