PBRN113ZS,126 je dostupan sada!LYNTEAM Technology je distributer čarapa za PBRN113ZS,126, imamo zalihe za trenutnu dostavu i dostupnu za dugo vremena.Pošaljite nam plan kupnje za PBRN113ZS,126 putem e-pošte, mi ćemo vam dati najbolju cijenu prema vašem planu.
Kupi PBRN113ZS,126 s LYNTEAM, spremite novac i vrijeme.
Naša e-mail: [email protected]
PBRN113ZS,126
- Dio brojeva:
- PBRN113ZS,126
- Proizvođač:
- NXP Semiconductors / Freescale
- Opis:
- TRANS PREBIAS NPN 0.7W TO92-3
- Status slobodnog vođenja:
- Bez olova / RoHS sukladni
- Količina zaliha:
- 50282 Pieces
- Vrijeme isporuke:
- 1-2 days
- Olovo vrijeme:
- 4-8 weeks
- Obrazac podataka:
- PBRN113ZS,126.pdf
Uvod
Tehnički podaci
| Stanje | New & Original, tested |
|---|---|
| Zemlja podrijetla | Contact us |
| Oznaka za označavanje | Send by email |
| Osvjetljenje napona - Emiter kolektora (maks.): | 40V |
| Vce zasićenje (maks.) @ Ib, Ic: | 1.15V @ 8mA, 800mA |
| Vrsta tranzistora: | NPN - Pre-Biased |
| Paket uređaja za dobavljače: | TO-92-3 |
| Niz: | - |
| Otpornik - Baza emitera (R2): | 10 kOhms |
| Otpornik - baza (R1): | 1 kOhms |
| Snaga - maks: | 700mW |
| Ambalaža: | Tape & Box (TB) |
| Paket / slučaj: | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
| Druga imena: | 934059136126 PBRN113ZS AMO PBRN113ZS AMO-ND |
| Vrsta montaže: | Through Hole |
| Razina osjetljivosti vlage (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Status slobodnog olova / RoHS-a: | Lead free / RoHS Compliant |
| Detaljan opis: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 40V 800mA 700mW Through Hole TO-92-3 |
| DC trenutni dobitak (hFE) (Min) @ Ic, Vce: | 500 @ 300mA, 5V |
| Trenutačno - Prekid kolektora (maks.): | 500nA |
| Trenutna - kolektora (Ic) (maks.): | 800mA |
| Broj osnovnog dijela: | PBRN113 |
| Email: | [email protected] |
Povezani dijelovi za PBRN113ZS,126
Najnovije vijesti
- ARM se pojavio u Computex -u 2024: Očekuje se da će se za AI do kraja 2025. godine koristiti više od 100 milijardi ARM uređaja
- Qorvo je pokrenuo izvanredne visoke 5G mMimo preliminari
- Popis simulacijskih ciklusa, ai pokreće potražnju za flash memorijom nastavlja se
- Micronov plan za izgradnju tvornice, NAND flash memorije po visokim cijenama ili održavanju
- Adi performanse su smanjene, supstrati bakrene folije su porasle, skladištenje originalnih tvorničkih povećanja proizvodnje Konzervativno
- Dolazi val inteligencije u automobilu, a Aimus Oslang pomogao je Sagiti Juguang da pusti MX Lidar
- Kapacitet za proizvodnju HBM -a je isključen, DRAM memorija može biti u manjku u drugoj polovici godine
- Osnivači zidova završit će, HBM ili uzrokovati da se DRAM ponovno poveća
- AI potražnja za proširenjem mobilnih telefona i računala, Poboljšanje industrije za globalnu industriju poluvodiča
- Shvatite potrebe ADAS -a i sustava za nadzor kabine za senzore mrežnih sigurnosnih slika
- Šuška se da su Samsung i Sk Hynix zaustavili DDR3, a citat promocije porastao za 20 %
- Melexis je objavio MLX90427: Kontrola linija do novog izbora, sigurnih, učinkovitih i ekonomičnih