PBLS2001S,115 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla PBLS2001S,115, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla PBLS2001S,115 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup PBLS2001S,115 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
PBLS2001S,115
- Part Number:
- PBLS2001S,115
- Producent:
- NXP Semiconductors / Freescale
- Opis:
- TRANS NPN PREBIAS/PNP 1.5W 8SO
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 59373 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- PBLS2001S,115.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - kolektor emiter (Max): | 50V, 20V |
| Vce Nasycenie (Max) @ IB, IC: | 150mV @ 500µA, 10mA / 355mV @ 300mA, 3A |
| Typ tranzystora: | 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 8-SO |
| Seria: | - |
| Rezystor - podstawa nadajnika (R2): | 2.2 kOhms |
| Rezystor - Podstawa (R1): | 2.2 kOhms |
| Moc - Max: | 1.5W |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Inne nazwy: | 568-7227-2 934060277115 PBLS2001S T/R PBLS2001S T/R-ND PBLS2001S,115-ND PBLS2001S115 |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Częstotliwość - Transition: | 100MHz |
| szczegółowy opis: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP 50V, 20V 100mA, 3A 100MHz 1.5W Surface Mount 8-SO |
| DC Prąd Zysk (hFE) (min) @ Ic, Vce: | 30 @ 20mA, 5V / 150 @ 2A, 2V |
| Obecny - Collector odcięcia (Max): | 1µA, 100nA |
| Obecny - Collector (Ic) (maks): | 100mA, 3A |
| Podstawowy numer części: | PBLS2001 |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do PBLS2001S,115
Latest Aktualności
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia
- Vishay wprowadza miniledowane opakowanie o wysokiej jasności małą niebieską i czystą zieloną diodę LED
- Ansonmei uruchomił indukcyjny czujnik pozycji dla rynku przemysłowego i transportowego
- Ruisa rozpoczyna starą fabrykę w celu zwiększenia urządzenia mocy, trzęsienie ziemi wpływa na łagodne wyjście DRAM
- Microchip umożliwia zdolność produkcyjną TSMC i podnosi podwyżki cen
- Ruisa uruchomiła nowy RA0 Series Ultra -Low Power Entry -LEVE MCU
- Melexis uruchamia pełny zintegrowany układ przełącznika indukcyjnego
- X-FAB wprowadza technologię oświetlenia czujnika obrazu w celu zwiększenia wydajności czujnika CMOS
- Duża fabryka chipów wpłynęła trzęsienie ziemi: TSMC przestało działać pilnie, zaostrzając zasilanie GPU w krótkim dostawie?