PA2607.151NLT jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla PA2607.151NLT, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla PA2607.151NLT przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup PA2607.151NLT z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
PA2607.151NLT
- Part Number:
- PA2607.151NLT
- Producent:
- Pulse Electronics Corporation
- Opis:
- FIXED IND 150NH 41A 0.29 MOHM
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 20889 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- PA2607.151NLT.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Rodzaj: | - |
| Tolerancja: | ±15% |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | - |
| Rozmiar / Wymiar: | 0.406" L x 0.301" W (10.31mm x 7.65mm) |
| Zastawianie: | Shielded |
| Seria: | PA2607NL |
| oceny: | - |
| P @ Częstotliwość: | - |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | Nonstandard |
| Inne nazwy: | 553-2160-2 PA2607.151NLT-ND |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 130°C |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Materiał - Rdzeń: | - |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 11 Weeks |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Częstotliwość indukcyjności - test: | 100kHz |
| Indukcyjność: | 150nH |
| Wysokość - Siedzą (Max): | 0.291" (7.40mm) |
| Częstotliwość - samorezonansowa: | - |
| cechy: | - |
| szczegółowy opis: | 150nH Shielded Inductor 41A 0.29 mOhm Nonstandard |
| DC Resistance (DCR): | 0.29 mOhm |
| Aktualna ocena: | 41A |
| Obecny - Nasycenie: | 72A |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do PA2607.151NLT
Latest Aktualności
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia