OTBF106KNPIR-F jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla OTBF106KNPIR-F, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla OTBF106KNPIR-F przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup OTBF106KNPIR-F z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
OTBF106KNPIR-F
- Part Number:
- OTBF106KNPIR-F
- Producent:
- Cornell Dubilier Electronics
- Opis:
- CAP FILM 10UF 10% 600VDC QC TERM
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 41487 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- OTBF106KNPIR-F.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie znamionowe - DC: | 600V |
| Napięcie znamionowe - AC: | 330V |
| Tolerancja: | ±10% |
| Zakończenie: | Solder Lug |
| Rozmiar / Wymiar: | 2.910" L x 1.910" W (73.91mm x 48.51mm), Lip |
| Seria: | OTB |
| oceny: | - |
| Opakowania: | Bulk |
| Package / Case: | Radial, Can |
| temperatura robocza: | -55°C ~ 85°C |
| Rodzaj mocowania: | Chassis Mount, Requires Holder/Bracket |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 11 Weeks |
| Główny odstęp: | 0.810" (20.57mm) |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Wysokość - Siedzą (Max): | 3.250" (82.55mm) |
| cechy: | - |
| Materiał dielektryka: | Paper, Metallized |
| szczegółowy opis: | 10µF Film Capacitor 330V 600V Paper, Metallized Radial, Can |
| Pojemność: | 10µF |
| Aplikacje: | DC Link, DC Filtering; Motor Run |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do OTBF106KNPIR-F
Latest Aktualności
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił