ORWH-SH-112H3F,000 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla ORWH-SH-112H3F,000, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla ORWH-SH-112H3F,000 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup ORWH-SH-112H3F,000 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
ORWH-SH-112H3F,000
- Part Number:
- ORWH-SH-112H3F,000
- Producent:
- Agastat Relays / TE Connectivity
- Opis:
- RELAY GEN PURPOSE SPDT 10A 12V
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 26813 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- 1.ORWH-SH-112H3F,000.pdf2.ORWH-SH-112H3F,000.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Włącz napięcie (maks): | 8.4 VDC |
| Wyłącz napięcie (Min): | 1.2 VDC |
| Termination Style: | PC Pin |
| przełączanie napięcia: | 277VAC, 28VDC - Max |
| Seria: | ORWH, OEG |
| Czas Release: | 5ms |
| Relay Type: | General Purpose |
| Opakowania: | Tube |
| Inne nazwy: | 1-1721956-4 ORWHSH112H3F,000 ORWHSH112H3F000 PB1128 |
| temperatura robocza: | -30°C ~ 70°C |
| Czas zadziałania: | 10ms |
| Rodzaj mocowania: | Through Hole |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| cechy: | Insulation - Class F, Sealed - Fully |
| szczegółowy opis: | General Purpose Relay SPDT (1 Form C) 12VDC Coil Through Hole |
| Kontakt Ocena (prąd stały): | 10A |
| Materiał styków: | Silver Nickel (AgNi) |
| Formularz kontaktowy: | SPDT (1 Form C) |
| Napięcie cewki: | 12VDC |
| Coil Type: | Non Latching |
| Coil Resistance: | 400 Ohms |
| cewka zasilania: | 360 mW |
| Aktualny Coil: | 30.0mA |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do ORWH-SH-112H3F,000
Latest Aktualności
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia