ONET8501VRGPTG4 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla ONET8501VRGPTG4, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla ONET8501VRGPTG4 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup ONET8501VRGPTG4 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
ONET8501VRGPTG4
- Part Number:
- ONET8501VRGPTG4
- Producent:
- TI
- Opis:
- IC LASR DRVR 11.3GBPS 3.6V 20QFN
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 55517 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- ONET8501VRGPTG4.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Dostawa: | 2.95 V ~ 3.6 V |
| Rodzaj: | Laser Diode Driver (Fiber Optic) |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 20-QFN (4x4) |
| Seria: | - |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | 20-VFQFN Exposed Pad |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 85°C |
| Liczba kanałów: | 1 |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 28 Weeks |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| szczegółowy opis: | Laser Driver IC 11.3Gbps 1 Channel 2.95 V ~ 3.6 V 20-QFN (4x4) |
| Szybkość przesyłania danych: | 11.3Gbps |
| Obecny - Dostawa: | 90mA |
| Obecny - Modulacja: | 24mA |
| Obecny - diagonalna: | 20mA |
| Podstawowy numer części: | ONET8501V |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do ONET8501VRGPTG4
Latest Aktualności
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia
- Vishay wprowadza miniledowane opakowanie o wysokiej jasności małą niebieską i czystą zieloną diodę LED
- Ansonmei uruchomił indukcyjny czujnik pozycji dla rynku przemysłowego i transportowego
- Ruisa rozpoczyna starą fabrykę w celu zwiększenia urządzenia mocy, trzęsienie ziemi wpływa na łagodne wyjście DRAM
- Microchip umożliwia zdolność produkcyjną TSMC i podnosi podwyżki cen
- Ruisa uruchomiła nowy RA0 Series Ultra -Low Power Entry -LEVE MCU
- Melexis uruchamia pełny zintegrowany układ przełącznika indukcyjnego
- X-FAB wprowadza technologię oświetlenia czujnika obrazu w celu zwiększenia wydajności czujnika CMOS