NX3L1G53GT,115 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla NX3L1G53GT,115, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla NX3L1G53GT,115 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup NX3L1G53GT,115 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
NX3L1G53GT,115
- Part Number:
- NX3L1G53GT,115
- Producent:
- NXP Semiconductors / Freescale
- Opis:
- IC SWITCH SPDT 8XSON
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 52600 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- NX3L1G53GT,115.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - zasilanie, pojedyncze (V +): | 1.4 V ~ 4.3 V |
| Napięcie - Zasilanie, Podwójne (V ±): | - |
| Czas przełączania (Ton, Toff) (maks.): | 24ns, 8ns |
| Przełącznik: | SPDT |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 8-XSON, SOT833-1 (1.95x1) |
| Seria: | - |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | 8-XFDFN |
| Inne nazwy: | 568-4644-2 935285822115 NX3L1G53GT-G |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 125°C (TA) |
| Oporność na terenie (maks.): | 750 mOhm |
| Liczba obwodów: | 1 |
| Obwód multipleksera / demultipleksera: | 2:1 |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 7 Weeks |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| szczegółowy opis: | 1 Circuit IC Switch 2:1 750 mOhm 8-XSON, SOT833-1 (1.95x1) |
| Prąd - wyciek (IS (wyłączony)) (maks.): | 10nA |
| Przesłuchy: | -90dB @ 100kHz |
| Wtrysk ładowania: | 15pC |
| Dopasowanie kanału do kanału (ΔRon): | 20 mOhm |
| Kanał (Capacitance) (CS (wyłączone), CD (wyłączone)): | 35pF |
| Podstawowy numer części: | NX3L1G53G |
| 3dB Pasmo: | 60MHz |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do NX3L1G53GT,115
Latest Aktualności
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia