NTCS0805E4104JMT jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla NTCS0805E4104JMT, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla NTCS0805E4104JMT przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup NTCS0805E4104JMT z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
NTCS0805E4104JMT
- Part Number:
- NTCS0805E4104JMT
- Producent:
- Electro-Films (EFI) / Vishay
- Opis:
- THERM NTC 100KOHM 3650K 0805
- Status bezołowiowy:
- Zawiera ołów / RoHS niezgodny
- Wielkość zbiorów:
- 39620 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- 1.NTCS0805E4104JMT.pdf2.NTCS0805E4104JMT.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Seria: | 2322 |
| Odporność na Ohm @ 25 ° C: | 100k |
| Tolerancja rezystancji: | ±5% |
| Moc - Max: | 210mW |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | 0805 (2012 Metric) |
| Inne nazwy: | 2322 615 13104 232261513104 BC1524TR NTCS0805YY104JMT |
| temperatura robocza: | -55°C ~ 150°C |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Długość - Drut Ołowiany: | - |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| szczegółowy opis: | NTC Thermistor 100k 0805 (2012 Metric) |
| B25 / 85: | 3650K |
| B25 / 75: | - |
| B25 / 50: | - |
| B25 / 100: | - |
| B0 / 50: | - |
| B Wartość Tolerancja: | ±1% |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do NTCS0805E4104JMT
Latest Aktualności
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia