NSCSJJN010KDUNV jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla NSCSJJN010KDUNV, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla NSCSJJN010KDUNV przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup NSCSJJN010KDUNV z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
NSCSJJN010KDUNV
- Part Number:
- NSCSJJN010KDUNV
- Opis:
- BRD MNT PRESSURE SENSORS
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 28218 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Dostawa: | 1.5 V ~ 12 V |
| Termination Style: | PC Pin |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 4-SIP |
| Seria: | TruStability® NSC |
| Pressure Type: | Differential |
| Styl portów: | Barbless |
| Port Rozmiar: | Male - 0.09" (2.34mm) Tube, Dual |
| Package / Case: | 4-SIP, Dual Ports, Same Side |
| Typ wyjścia: | Wheatstone Bridge |
| Wydajność: | 0 mV ~ 94.5 mV (5V) |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 85°C |
| Ciśnienie robocze: | ±1.45 PSI (±10 kPa) |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Maksymalne ciśnienie: | ±12.33 PSI (±85 kPa) |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| cechy: | - |
| szczegółowy opis: | Pressure Sensor ±1.45 PSI (±10 kPa) Differential Male - 0.09" (2.34mm) Tube, Dual 0 mV ~ 94.5 mV (5V) 4-SIP, Dual Ports, Same Side |
| Precyzja: | ±0.25% |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do NSCSJJN010KDUNV
Latest Aktualności
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia