NRVHP420MFDT1G jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla NRVHP420MFDT1G, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla NRVHP420MFDT1G przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup NRVHP420MFDT1G z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
NRVHP420MFDT1G
- Part Number:
- NRVHP420MFDT1G
- Producent:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Opis:
- 200V/2A PUF DFN-8
- Wielkość zbiorów:
- 27079 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- NRVHP420MFDT1G.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Forward (VF) (Max) @ Jeśli: | 1.1V @ 6A |
| Napięcie - DC Rewers (VR) (maks): | 200V |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual) |
| Prędkość: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Seria: | Automotive, AEC-Q101, SWITCHMODE™ |
| Odwrócona Recovery Time (TRR): | 30ns |
| Package / Case: | 8-PowerTDFN |
| Temperatura pracy - złącze: | -55°C ~ 175°C |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 50 Weeks |
| Status bezołowiowy: | Lead free |
| Typ diody: | Standard |
| Diode Configuration: | 2 Independent |
| szczegółowy opis: | Diode Array 2 Independent Standard 200V 2A Surface Mount 8-PowerTDFN |
| Obecny - Reverse Przeciek @ Vr: | 500nA @ 200V |
| Obecny - Średnia Spirytus (Io) (za Diode): | 2A |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do NRVHP420MFDT1G
Latest Aktualności
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia