NRVBB20100CTT4G jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla NRVBB20100CTT4G, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla NRVBB20100CTT4G przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup NRVBB20100CTT4G z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
NRVBB20100CTT4G
- Part Number:
- NRVBB20100CTT4G
- Producent:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Opis:
- DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V D2PAK
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 26251 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- NRVBB20100CTT4G.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Forward (VF) (Max) @ Jeśli: | 850mV @ 10A |
| Napięcie - DC Rewers (VR) (maks): | 100V |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | D2PAK-3 |
| Prędkość: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Seria: | SWITCHMODE™ |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Inne nazwy: | NRVBB20100CTT4G-ND NRVBB20100CTT4GOSTR |
| Temperatura pracy - złącze: | -65°C ~ 175°C |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 4 Weeks |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Typ diody: | Schottky |
| Diode Configuration: | 1 Pair Common Cathode |
| szczegółowy opis: | Diode Array 1 Pair Common Cathode Schottky 100V 10A Surface Mount TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Obecny - Reverse Przeciek @ Vr: | 100µA @ 100V |
| Obecny - Średnia Spirytus (Io) (za Diode): | 10A |
| Podstawowy numer części: | MBRB20100CT |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do NRVBB20100CTT4G
Latest Aktualności
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia