NRH3010T3R3MNV jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla NRH3010T3R3MNV, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla NRH3010T3R3MNV przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup NRH3010T3R3MNV z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
NRH3010T3R3MNV
- Part Number:
- NRH3010T3R3MNV
- Producent:
- Taiyo Yuden
- Opis:
- FIXED IND 3.3UH 1A 156 MOHM SMD
- Wielkość zbiorów:
- 29263 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- 1.NRH3010T3R3MNV.pdf2.NRH3010T3R3MNV.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Rodzaj: | Wirewound |
| Tolerancja: | ±20% |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | - |
| Rozmiar / Wymiar: | 0.118" L x 0.118" W (3.00mm x 3.00mm) |
| Zastawianie: | Shielded |
| Seria: | NR, H Type |
| oceny: | AEC-Q200 |
| P @ Częstotliwość: | - |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | Nonstandard |
| Inne nazwy: | LM NRH3010T 3R3MN V |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 125°C |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Materiał - Rdzeń: | Ferrite |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 6 Weeks |
| Częstotliwość indukcyjności - test: | 100kHz |
| Indukcyjność: | 3.3µH |
| Wysokość - Siedzą (Max): | 0.039" (1.00mm) |
| Częstotliwość - samorezonansowa: | 64MHz |
| cechy: | - |
| szczegółowy opis: | 3.3µH Shielded Wirewound Inductor 1A 156 mOhm Max Nonstandard |
| DC Resistance (DCR): | 156 mOhm Max |
| Aktualna ocena: | 1A |
| Obecny - Nasycenie: | 1A |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do NRH3010T3R3MNV
Latest Aktualności
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia
- Vishay wprowadza miniledowane opakowanie o wysokiej jasności małą niebieską i czystą zieloną diodę LED
- Ansonmei uruchomił indukcyjny czujnik pozycji dla rynku przemysłowego i transportowego
- Ruisa rozpoczyna starą fabrykę w celu zwiększenia urządzenia mocy, trzęsienie ziemi wpływa na łagodne wyjście DRAM
- Microchip umożliwia zdolność produkcyjną TSMC i podnosi podwyżki cen
- Ruisa uruchomiła nowy RA0 Series Ultra -Low Power Entry -LEVE MCU
- Melexis uruchamia pełny zintegrowany układ przełącznika indukcyjnego