NOJT106M010RWJ jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla NOJT106M010RWJ, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla NOJT106M010RWJ przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup NOJT106M010RWJ z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
NOJT106M010RWJ
- Part Number:
- NOJT106M010RWJ
- Producent:
- AVX Corporation
- Opis:
- CAP NIOB OXIDE 10UF 20% 10V 1210
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 54619 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- NOJT106M010RWJ.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - znamionowe: | 10V |
| Tolerancja: | ±20% |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 1210 (3528 Metric) |
| Rozmiar / Wymiar: | 0.138" L x 0.110" W (3.50mm x 2.80mm) |
| Seria: | OxiCap® NOJ |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | 1411 (3528 Metric), 1210 |
| Inne nazwy: | 478-5847-2 |
| temperatura robocza: | -55°C ~ 105°C |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 18 Weeks |
| Producent Kod rozmiaru: | T |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Wysokość - Siedzą (Max): | 0.047" (1.20mm) |
| cechy: | - |
| ESR (Equivalent Series Resistance): | 2.2 Ohms |
| Rozproszenie Factor: | 6% |
| szczegółowy opis: | 10µF Niobium Oxide Capacitor 10V 1411 (3528 Metric), 1210 2.2 Ohms |
| Obecna - Przeciek: | 2µA |
| Pojemność: | 10µF |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do NOJT106M010RWJ
Latest Aktualności
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia
- Vishay wprowadza miniledowane opakowanie o wysokiej jasności małą niebieską i czystą zieloną diodę LED
- Ansonmei uruchomił indukcyjny czujnik pozycji dla rynku przemysłowego i transportowego
- Ruisa rozpoczyna starą fabrykę w celu zwiększenia urządzenia mocy, trzęsienie ziemi wpływa na łagodne wyjście DRAM
- Microchip umożliwia zdolność produkcyjną TSMC i podnosi podwyżki cen
- Ruisa uruchomiła nowy RA0 Series Ultra -Low Power Entry -LEVE MCU
- Melexis uruchamia pełny zintegrowany układ przełącznika indukcyjnego
- X-FAB wprowadza technologię oświetlenia czujnika obrazu w celu zwiększenia wydajności czujnika CMOS