NLV14093BDR2G jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla NLV14093BDR2G, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla NLV14093BDR2G przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup NLV14093BDR2G z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
NLV14093BDR2G
- Part Number:
- NLV14093BDR2G
- Producent:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Opis:
- IC GATE NAND SCHMITT 4CH 14SOIC
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 23429 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- NLV14093BDR2G.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Dostawa: | 3 V ~ 18 V |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 14-SOIC |
| Seria: | Automotive, AEC-Q100, 4000B |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| temperatura robocza: | -55°C ~ 125°C |
| Liczba wejść: | 2 |
| Liczba obwodów: | 4 |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Max Opóźnienie propagacji @ V Max CL: | 80ns @ 15V, 50pF |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 20 Weeks |
| Logic Type: | NAND Gate |
| Poziom Logic - Niska: | 0.9 V ~ 4 V |
| Poziom Logic - Wysoka: | 3.6 V ~ 10.8 V |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| cechy: | Schmitt Trigger |
| szczegółowy opis: | NAND Gate IC 4 Channel Schmitt Trigger 14-SOIC |
| Obecny - spoczynkowy (Max): | 1µA |
| High Output, Niska - Bieżąca: | 8.8mA, 8.8mA |
| Podstawowy numer części: | 4093 |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do NLV14093BDR2G
Latest Aktualności
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia
- Vishay wprowadza miniledowane opakowanie o wysokiej jasności małą niebieską i czystą zieloną diodę LED
- Ansonmei uruchomił indukcyjny czujnik pozycji dla rynku przemysłowego i transportowego
- Ruisa rozpoczyna starą fabrykę w celu zwiększenia urządzenia mocy, trzęsienie ziemi wpływa na łagodne wyjście DRAM
- Microchip umożliwia zdolność produkcyjną TSMC i podnosi podwyżki cen
- Ruisa uruchomiła nowy RA0 Series Ultra -Low Power Entry -LEVE MCU
- Melexis uruchamia pełny zintegrowany układ przełącznika indukcyjnego
- X-FAB wprowadza technologię oświetlenia czujnika obrazu w celu zwiększenia wydajności czujnika CMOS