NLU2G07BMX1TCG jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla NLU2G07BMX1TCG, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla NLU2G07BMX1TCG przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup NLU2G07BMX1TCG z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
NLU2G07BMX1TCG
- Part Number:
- NLU2G07BMX1TCG
- Producent:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Opis:
- IC BUFF DL OP/DRAIN N-INV 6ULLGA
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 55343 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- NLU2G07BMX1TCG.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - W państwie: | 2 |
| Napięcie - Podział: | 6-ULLGA (1.2x1) |
| wyczucie czasu: | -, 8mA |
| Shell Style: | 1.65 V ~ 5.5 V |
| Seria: | - |
| Stan RoHS: | Tape & Reel (TR) |
| Polaryzacja: | 6-XFLGA |
| Typ wyjścia: | Open Drain |
| temperatura robocza: | -55°C ~ 125°C (TA) |
| Ilość bitów na element: | Buffer, Non-Inverting |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Numer części producenta: | NLU2G07BMX1TCG |
| Typ wejścia: | - |
| Rozszerzony opis: | Buffer, Non-Inverting Element 1 Bit per Element Open Drain Output 6-ULLGA (1.2x1) |
| Opis: | IC BUFF DL OP/DRAIN N-INV 6ULLGA |
| High Output, Niska - Bieżąca: | 1 |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do NLU2G07BMX1TCG
Latest Aktualności
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia
- Vishay wprowadza miniledowane opakowanie o wysokiej jasności małą niebieską i czystą zieloną diodę LED
- Ansonmei uruchomił indukcyjny czujnik pozycji dla rynku przemysłowego i transportowego
- Ruisa rozpoczyna starą fabrykę w celu zwiększenia urządzenia mocy, trzęsienie ziemi wpływa na łagodne wyjście DRAM
- Microchip umożliwia zdolność produkcyjną TSMC i podnosi podwyżki cen
- Ruisa uruchomiła nowy RA0 Series Ultra -Low Power Entry -LEVE MCU