NLSX5014DR2G jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla NLSX5014DR2G, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla NLSX5014DR2G przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup NLSX5014DR2G z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
NLSX5014DR2G
- Part Number:
- NLSX5014DR2G
- Producent:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Opis:
- IC TRNSLTR BIDIRECTIONAL 14SOIC
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 48262 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- NLSX5014DR2G.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - VCCB: | 0.9V ~ 4.5V |
| Napięcie - VCCA: | 0.9V ~ 4.5V |
| Typ tłumacza: | Voltage Level |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 14-SOIC |
| Seria: | - |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Typ wyjścia: | Tri-State, Non-Inverted |
| Sygnał wyjściowy: | - |
| Inne nazwy: | NLSX5014DR2G-ND NLSX5014DR2GOSTR |
| temperatura robocza: | -55°C ~ 125°C (TA) |
| Liczba obwodów: | 1 |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 20 Weeks |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Sygnał wejściowy: | - |
| cechy: | Auto-Direction Sensing, Power-Off Protection |
| szczegółowy opis: | Voltage Level Translator Bidirectional 1 Circuit 4 Channel 100Mbps 14-SOIC |
| Szybkość przesyłania danych: | 100Mbps |
| Kanały na obwód: | 4 |
| Baza-emiter Napięcie nasycenia (Max): | Bidirectional |
| Podstawowy numer części: | NLSX5014 |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do NLSX5014DR2G
Latest Aktualności
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia
- Vishay wprowadza miniledowane opakowanie o wysokiej jasności małą niebieską i czystą zieloną diodę LED
- Ansonmei uruchomił indukcyjny czujnik pozycji dla rynku przemysłowego i transportowego
- Ruisa rozpoczyna starą fabrykę w celu zwiększenia urządzenia mocy, trzęsienie ziemi wpływa na łagodne wyjście DRAM
- Microchip umożliwia zdolność produkcyjną TSMC i podnosi podwyżki cen
- Ruisa uruchomiła nowy RA0 Series Ultra -Low Power Entry -LEVE MCU
- Melexis uruchamia pełny zintegrowany układ przełącznika indukcyjnego