NLFV32T-221K-EF jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla NLFV32T-221K-EF, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla NLFV32T-221K-EF przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup NLFV32T-221K-EF z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
NLFV32T-221K-EF
- Part Number:
- NLFV32T-221K-EF
- Producent:
- TDK Corporation
- Opis:
- FIXED IND 220UH 40MA 6.12 OHM
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 29871 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- NLFV32T-221K-EF.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Rodzaj: | Wirewound |
| Tolerancja: | ±10% |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 1210 (3225 Metric) |
| Rozmiar / Wymiar: | 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.50mm) |
| Zastawianie: | Shielded |
| Seria: | NLFV |
| oceny: | - |
| P @ Częstotliwość: | - |
| Opakowania: | Original-Reel® |
| Package / Case: | 1210 (3225 Metric) |
| Inne nazwy: | 445-15766-6 |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 105°C |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Materiał - Rdzeń: | Ferrite |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 14 Weeks |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Częstotliwość indukcyjności - test: | 796kHz |
| Indukcyjność: | 220µH |
| Wysokość - Siedzą (Max): | 0.094" (2.40mm) |
| Częstotliwość - samorezonansowa: | - |
| szczegółowy opis: | 220µH Shielded Wirewound Inductor 40mA 6.12 Ohm Max 1210 (3225 Metric) |
| DC Resistance (DCR): | 6.12 Ohm Max |
| Aktualna ocena: | 40mA |
| Obecny - Nasycenie: | - |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do NLFV32T-221K-EF
Latest Aktualności
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił